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臺式機(jī)內(nèi)存條正反怎么樣放

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臺式機(jī)內(nèi)存條正反怎么樣放

  臺式機(jī)內(nèi)存條也有正反,那么要怎么樣去放呢?下面由學(xué)習(xí)啦小編給你做出詳細(xì)的臺式機(jī)內(nèi)存條正反放法介紹!希望對你有幫助!

  臺式機(jī)內(nèi)存條正反放法介紹一:

  內(nèi)存條直接插上去就可以了。

  在內(nèi)存條的金手指上有一個缺口,對應(yīng)內(nèi)存插槽內(nèi)的一個隔斷,對準(zhǔn)了插進(jìn)去就行。

  如果插反了,不使用暴力是插不下去的。

  臺式機(jī)內(nèi)存條正反放法介紹二:

  內(nèi)存條下面凹槽對應(yīng)主板插槽上的突起的地方,反著是插不進(jìn)去的。

  內(nèi)存是電腦必不可少的組成部分,CPU可通過數(shù)據(jù)總線對內(nèi)存尋址。歷史上的電腦主板上有主內(nèi)存,內(nèi)存條是主內(nèi)存的擴(kuò)展。以后的電腦主板上沒有主內(nèi)存,CPU完全依賴內(nèi)存條。所有外存上的內(nèi)容必須通過內(nèi)存才能發(fā)揮作用。

  臺式機(jī)內(nèi)存條正反放法介紹三:

  內(nèi)存條有防呆設(shè)計(jì),仔細(xì)看看內(nèi)存插槽的防呆口和內(nèi)存的防呆口,對應(yīng)的插進(jìn)去就OK了。 另:如果防呆口沒有對應(yīng),是插不上內(nèi)存的,這時別使勁插,有可能損壞內(nèi)存或者插槽。

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  內(nèi)存條作用介紹

    內(nèi)存是電腦(PC機(jī)、單片機(jī))必不可少的組成部分。與可有可無的外存不同,內(nèi)存是以總線方式進(jìn)行讀寫操作的部件;內(nèi)存決非僅僅是起數(shù)據(jù)倉庫的作用。除少量操作系統(tǒng)中必不可少的程序長駐內(nèi)存外,我們平常使用的程序,如Windows、Linux等系統(tǒng)軟件,包括打字軟件、游戲軟件等在內(nèi)的應(yīng)用軟件,雖然把包括程序代碼在內(nèi)的大量數(shù)據(jù)都放在磁帶、磁盤、光盤、移動盤等外存設(shè)備上,但外存中任何數(shù)據(jù)只有調(diào)入內(nèi)存中才能真正使用。電腦上任何一種輸入(來自外存、鍵盤、鼠標(biāo)、麥克風(fēng)、掃描儀,等等)和任何一種輸出(顯示、打印、音像、寫入外存,等等)無一不是通過內(nèi)存才可以進(jìn)行。

  內(nèi)存的分類

  DDR內(nèi)存條

  內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種,前者又叫動態(tài)隨機(jī)存儲器,它的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會丟失,我們平時說的內(nèi)存就是指這一種;后者又叫只讀存儲器,我們平時開機(jī)首先啟動的是存于主板上ROM中的BIOS程序,然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows,ROM的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。

  根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少,我們可以把內(nèi)存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲器模塊SIMM,(SIMM就是一種兩側(cè)金手指都提供相同信號的內(nèi)存結(jié)構(gòu),)168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM。30線內(nèi)存條已經(jīng)沒有了;前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條,其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種;市場的主流品種是168線內(nèi)存條,168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種,一般的電腦插一條就OK了,不過,只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持168線的內(nèi)存條。

  EDO和SDRAM

  前面我們已經(jīng)按引腳數(shù)的多少把內(nèi)存條分為30、72和168線等幾種,其實(shí),它們在結(jié)構(gòu)和性能上還有著本質(zhì)的區(qū)別。

  內(nèi)存的安裝詳解

  譬如,72線內(nèi)存條是一種EDO內(nèi)存,而現(xiàn)今主流的168線內(nèi)存條幾乎清一色又都是SDRAM內(nèi)存;EDO內(nèi)存的存取速度基本保持在60納秒左右,能夠適應(yīng)75兆赫茲的外頻,但跑83兆赫茲則有點(diǎn)勉為其難了;而SDRAM內(nèi)存的存取速度一般能達(dá)到10納秒左右,能夠適應(yīng)100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO內(nèi)存已逐步被SDRAM所取代,至今,幾乎已無人再用EDO來裝機(jī)了,只有升級擴(kuò)充舊電腦內(nèi)存時還用得著它。

  其實(shí),EDO內(nèi)存被SDRAM所取代有其必然性,因?yàn)?,市場上主流CPU的主頻已高達(dá)2G赫茲,未來CPU的主頻還會越來越高。但由于傳統(tǒng)內(nèi)存條的讀寫速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上CPU的速度,迫使CPU插入等待指令周期,從而大大降低了電腦的整體性能。為了緩解這個內(nèi)存瓶頸的問題,我們就必須采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu),即SDRAM。因?yàn)椋瑥睦碚撋险f,SDRAM與CPU頻率同步,共享一個時鐘周期。SDRAM內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列,當(dāng)CPU從一個存儲陣列訪問數(shù)據(jù)的同時,另一個已準(zhǔn)備好讀寫數(shù)據(jù),通過兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存儲速度已高達(dá)5納秒,所以,SDRAM已成為內(nèi)存發(fā)展的主流。

  當(dāng)然,EDO內(nèi)存也并沒有完全舉手投降,相反,

  憑借其出色的視頻特性和低廉的價格,在顯示內(nèi)存等領(lǐng)域仍是連連得手,眾多低檔顯卡更是無一例外地采用EDO內(nèi)存。另外,許多硬盤、光驅(qū)和打印機(jī)也是采用EDO緩存,可見,EDO內(nèi)存還真是寶刀不老啊!

  RAM有些像教室里的黑板,上課時老師不斷地往黑板上面寫東西,下課以后全部擦除。RAM要求每時每刻都不斷地供電,否則數(shù)據(jù)會丟失。如果在關(guān)閉電源以后RAM中的數(shù)據(jù)也不丟失就好了,這樣就可以在每一次開機(jī)時都保證電腦處于上一次關(guān)機(jī)的狀態(tài),而不必每次都重新啟動電腦,重新打開應(yīng)用程序了。但是RAM要求不斷的電源供應(yīng),那有沒有辦法解決這個問題呢?隨著技術(shù)的進(jìn)步,人們想到了一個辦法,即給RAM供應(yīng)少量的電源保持RAM的數(shù)據(jù)不丟失,這就是電腦的待機(jī)功能,特別在Win2000里這個功能得到了很好的應(yīng)用,休眠時電源處于連接狀態(tài),但是耗費(fèi)少量的電能。

  按內(nèi)存條的接口形式,常見內(nèi)存條有兩種:單列直插內(nèi)存條(SIMM),和雙列直插內(nèi)存條(DIMM)。SIMM內(nèi)存條分為30線,72線兩種。DIMM內(nèi)存條與SIMM內(nèi)存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用,不同容量可混合使用,SIMM必須成對使用。

  按內(nèi)存的工作方式,內(nèi)存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步動態(tài)RAM)等形式。

  FPM(FAST PAGE MODE)RAM 快速頁面模式隨機(jī)存取存儲器:

  thinkpad 原裝內(nèi)存條

  這是較早的電腦系統(tǒng)普通使用的內(nèi)存,它每隔三個時鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。

  EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM

  擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存取存儲器:EDO內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔,他每隔兩個時鐘脈沖周期輸出一次數(shù)據(jù),大大地縮短了存取時間,使存儲速度提高30%。EDO一般是72腳,EDO內(nèi)存已經(jīng)被SDRAM所取代。

  S(synchronous)DRAM

  同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器:SDRAM為168腳,這是PENTIUM及以上機(jī)型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起,使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期,以相同的速度同步工作,每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù),速度比EDO內(nèi)存提高50%。

  DDR(DOUBLE DATA RATE)RAM

  SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品,他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù),這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

  RDRAM(RAMBUS DRAM)存儲器總線式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器;

  內(nèi)存條

  RDRAM是RAMBUS公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬,芯片到芯片接口設(shè)計(jì)的新型DRAM,他能在很高的頻率范圍內(nèi)通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)。他同時使用低電壓信號,在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。INTEL將在其820芯片組產(chǎn)品中加入對RDRAM的支持。

  內(nèi)存的參數(shù)主要有兩個:存儲容量和存取時間。存儲容量越大,電腦能記憶的信息越多。存取時間則以納秒(NS)為單位來計(jì)算。一納秒等于10億分之一秒。數(shù)字越小,表明內(nèi)存的存取速度越快。

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