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手機(jī)和電腦cpu的區(qū)別在哪里

時(shí)間: 沈迪豪908 分享

手機(jī)和電腦cpu的區(qū)別在哪里

  大家都知道·手機(jī)與電腦的核心就是cpu,那么你知道手機(jī)CPU與電腦CPU的不同嗎?不知道的話(huà)跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來(lái)學(xué)習(xí)了解手機(jī)CPU與電腦CPU的不同吧。

手機(jī)和電腦cpu的差別

  目前英國(guó)ARM架構(gòu)占據(jù)手機(jī)處理器90%的市場(chǎng)份額。2002年上市的諾基亞7650是世界上首部的智能手機(jī)(2.5G基于Symbian OS系統(tǒng)),也是采用了ARM處理器(主頻為104MHz)。手機(jī)芯片發(fā)展到2010年時(shí),一顆CPU內(nèi)核已經(jīng)滿(mǎn)足不了需要,于是繼2005年P(guān)C進(jìn)入「雙核時(shí)代」后,手機(jī)在2011年也進(jìn)入了「雙核時(shí)代」。

  手機(jī)和電腦主頻的差別

  現(xiàn)今市面上的手機(jī)都是基于ARM(高級(jí)精簡(jiǎn)指令集機(jī)器Advanced RISC Machines)CPU架構(gòu)設(shè)計(jì),雖然目前ARM架構(gòu)CPU相對(duì)與X86架構(gòu)(電腦架構(gòu))CPU功耗低,廉價(jià)。但是ARM CPU基于精簡(jiǎn)架構(gòu)的設(shè)計(jì)思想減少了大量CPU內(nèi)部的指令集,造成ARM CPU性能至今一直都達(dá)不到英特爾X86 CPU的水平。

  ARM和X86架構(gòu)的區(qū)別

  每款CPU在設(shè)計(jì)時(shí)就規(guī)定了一系列與其硬件電路相配合的指令系統(tǒng)。指令的強(qiáng)弱也是衡量CPU運(yùn)算快慢的重要指標(biāo),指令集是提高微處理器效率的最有效工具之一。如MMX(Multi Media Extended)、SSE、SSE2、SEE3和AMD的3DNow!等都是大幅度提高CPU運(yùn)算性能的指令集,分別增強(qiáng)了CPU的多媒體、圖形圖象和Internet等的處理能力,這就是為什么ARM設(shè)備不適合顯示簡(jiǎn)單的手機(jī)網(wǎng)頁(yè)之外的互聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)頁(yè),原因是互聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)頁(yè)是相當(dāng)復(fù)雜的,都是基于X86架構(gòu)系統(tǒng)的網(wǎng)頁(yè),幾乎所有ARM架構(gòu)智能手機(jī)上的瀏覽器,都無(wú)法正常地瀏覽面向X86架構(gòu)系統(tǒng)的所有網(wǎng)站,CPU內(nèi)部沒(méi)有豐富的指令集支持高主頻的CPU處理的速度也不會(huì)有跳躍性的提升,所以大多數(shù)低主頻的X86架構(gòu)的CPU性能遠(yuǎn)超ARM架構(gòu)同主頻的性能。

  手機(jī)內(nèi)存和電腦內(nèi)存的差別

  智能手機(jī)內(nèi)存一般512M-1G,因?yàn)锳RM架構(gòu)的智能手機(jī)大多數(shù)使用SDRAM或Mobile DDR(目前以韓國(guó)三星與美光科技Micron Technology有這樣的技術(shù))內(nèi)存,這些類(lèi)型的內(nèi)存不但價(jià)格昂貴而且速度(100MHZ-400MHZ)和容量遠(yuǎn)落后于電腦X86架構(gòu)的內(nèi)存的頻率和容量,造成市面上智能手機(jī)內(nèi)存容量偏小,處理速度也隨之變慢,而電腦X86架構(gòu)的內(nèi)存類(lèi)型從DDR、DDR2、DDR3,容量現(xiàn)今一般都在512M-2G,甚至更大,內(nèi)存頻率一般在400MHZ-1GHZ 甚至最大達(dá)2GHZ,價(jià)格也非常便宜。

  手機(jī)存儲(chǔ)和電腦存儲(chǔ)的差別

  電腦SSD(Solid State Disk)硬盤(pán)由控制單元和存儲(chǔ)單元(FLASH芯片或DRAM芯片)組成的存儲(chǔ)矩陣,容量一般都很大,速度比傳統(tǒng)的HDD(Hard Disk Drive)硬盤(pán)快很多,而手機(jī)存儲(chǔ)使用內(nèi)置Flash Memory存儲(chǔ)芯片或外置擴(kuò)展的Flash Memory內(nèi)存卡來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),由于手機(jī)中的接口芯片對(duì)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度要求較低,造成所采用的Flash Memory的速度遠(yuǎn)落后于SSD。

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