內(nèi)存技術(shù)參數(shù)有哪些
內(nèi)存技術(shù)參數(shù)有哪些
內(nèi)存這樣小小的一個(gè)硬件，卻是PC系統(tǒng)中最必不可少的重要部件之一。而對(duì)于入門用戶來說，可能從內(nèi)存的類型、工作頻率、接口類型這些簡(jiǎn)單的參數(shù)的印象都可能很模糊的，而對(duì)更深入的各項(xiàng)內(nèi)存時(shí)序小參數(shù)就更摸不著頭腦了。而對(duì)于進(jìn)階玩家來說，內(nèi)存的一些具體的細(xì)小參數(shù)設(shè)置則足以影響到整套系統(tǒng)的超頻效果和最終性能表現(xiàn)。下面是學(xué)習(xí)啦小編給大家整理的一些有關(guān)內(nèi)存技術(shù)參數(shù)介紹，希望對(duì)大家有幫助!
內(nèi)存技術(shù)參數(shù)簡(jiǎn)單介紹
DDR1內(nèi)存
第一代DDR內(nèi)存
DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。
DDR2內(nèi)存
第二代DDR內(nèi)存
DDR2 是 DDR SDRAM 內(nèi)存的第二代產(chǎn)品。它在 DDR 內(nèi)存技術(shù)的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)，從而其傳輸速度更快(可達(dá)800MHZ )，耗電量更低，散熱性能更優(yōu)良。
DDR3內(nèi)存
第三代DDR內(nèi)存
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電;DDR2的4bit預(yù)讀升級(jí)為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由于目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內(nèi)存模組將會(huì)從1333Mhz的起跳。
三種類型DDR內(nèi)存之間，從內(nèi)存控制器到內(nèi)存插槽都互不兼容。即使是一些在同時(shí)支持兩種類型內(nèi)存的Combo主板上，兩種規(guī)格的內(nèi)存也不能同時(shí)工作，只能使用其中一種內(nèi)存。
內(nèi)存SPD芯片
內(nèi)存SPD芯片
SPD(Serial Presence Detect): SPD是一顆8針的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM 電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器), 容量為256字節(jié)，里面主要保存了該內(nèi)存的相關(guān)資料，如容量、芯片廠商、內(nèi)存模組廠商、工作速度等。SPD的內(nèi)容一般由內(nèi)存模組制造商寫入。支持SPD的主板在啟動(dòng)時(shí)自動(dòng)檢測(cè)SPD中的資料，并以此設(shè)定內(nèi)存的工作參數(shù)。
啟動(dòng)計(jì)算機(jī)后，主板BIOS就會(huì)讀取SPD中的信息，主板北橋芯片組就會(huì)根據(jù)這些參數(shù)信息來自動(dòng)配置相應(yīng)的內(nèi)存工作時(shí)序與控制寄存器，從而可以充分發(fā)揮內(nèi)存條的性能。上述情況實(shí)現(xiàn)的前提條件是在BIOS設(shè)置界面中，將內(nèi)存設(shè)置選項(xiàng)設(shè)為“By SPD”。當(dāng)主板從內(nèi)存條中不能檢測(cè)到SPD信息時(shí)，它就只能提供一個(gè)較為保守的配置。
從某種意義上來說，SPD芯片是識(shí)別內(nèi)存品牌的一個(gè)重要標(biāo)志。如果SPD內(nèi)的參數(shù)值設(shè)置得不合理，不但不能起到優(yōu)化內(nèi)存的作用，反而還會(huì)引起系統(tǒng)工作不穩(wěn)定，甚至死機(jī)。因此，很多普通內(nèi)存或兼容內(nèi)存廠商為了避免兼容性問題，一般都將SPD中的內(nèi)存工作參數(shù)設(shè)置得較為保守，從而限制了內(nèi)存性能的充分發(fā)揮。更有甚者，一些不法廠商通過專門的讀寫設(shè)備去更改SPD信息，以騙過計(jì)算機(jī)的檢測(cè)，得出與實(shí)際不一致的數(shù)據(jù)，從而欺騙消費(fèi)者。
XMP技術(shù)
支持XMP技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品
BIOS里的XMP設(shè)置
Intel Extreme Memory Profiles 簡(jiǎn)稱XMP，它是一種提高內(nèi)存性能的技術(shù)，與NVIDIA的SLI Memory技術(shù)類似。Intel制定了Intel Extreme Memory Profiles (Intel XMP Specification)，會(huì)對(duì)DDR3內(nèi)存作出認(rèn)證，芯片組會(huì)自動(dòng)識(shí)別通過認(rèn)證的指定品牌和指定型號(hào)的內(nèi)存模組產(chǎn)品，通過提高數(shù)據(jù)吞吐量，增加帶寬等手段使其性能增加。
英特爾公司表示，由于主要面向未來的高端平臺(tái)，因此這項(xiàng)技術(shù)并不會(huì)出現(xiàn)在DDR2內(nèi)存模組上，要想使用“Extreme Memory”技術(shù)的首要條件就是要使用DDR3內(nèi)存。
內(nèi)存控制器(Memory Controller)
內(nèi)存控制器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部控制內(nèi)存并且通過內(nèi)存控制器使內(nèi)存與CPU之間交換數(shù)據(jù)的重要組成部分。內(nèi)存控制器決定了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所能使用的最大內(nèi)存容量、內(nèi)存BANK數(shù)、內(nèi)存類型和速度、內(nèi)存顆粒數(shù)據(jù)深度和數(shù)據(jù)寬度等等重要參數(shù)，也就是說決定了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存性能，從而也對(duì)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的整體性能產(chǎn)生較大影響。
早期內(nèi)存控制器集成在主板北橋芯片
傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)其內(nèi)存控制器位于主板芯片組的北橋芯片內(nèi)部，CPU要和內(nèi)存進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，需要經(jīng)過“CPU--北橋--內(nèi)存--北橋--CPU”五個(gè)步驟，在此模式下數(shù)據(jù)經(jīng)由多級(jí)傳輸，數(shù)據(jù)延遲顯然比較大從而影響計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的整體性能;而AMD的K8系列CPU(包括Socket 754/939/940等接口的各種處理器)內(nèi)部則整合了內(nèi)存控制器，CPU與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)交換過程就簡(jiǎn)化為“CPU--內(nèi)存--CPU”三個(gè)步驟，省略了兩個(gè)步驟，與傳統(tǒng)的內(nèi)存控制器方案相比顯然具有更低的數(shù)據(jù)延遲，這有助于提高計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的整體性能。
AMD率先在桌面平臺(tái)將內(nèi)存控制器集成在CPU
英特爾新酷睿家族處理器也集成了內(nèi)存控制器
CPU內(nèi)部整合內(nèi)存控制器的優(yōu)點(diǎn)，就是可以有效控制內(nèi)存控制器工作在與CPU核心同樣的頻率上，而且由于內(nèi)存與CPU之間的數(shù)據(jù)交換無需經(jīng)過北橋，可以有效降低傳輸延遲。打個(gè)比方，這就如同將貨物倉(cāng)庫(kù)直接搬到了加工車間旁邊，大大減少了原材料和制成品在貨物倉(cāng)庫(kù)和加工車間之間往返運(yùn)輸所需要的時(shí)間，極大地提高了生產(chǎn)效率。這樣一來系統(tǒng)的整體性能也得到了提升。
內(nèi)存規(guī)格參數(shù)
內(nèi)存性能規(guī)格標(biāo)簽
內(nèi)存頻率
和CPU一樣，內(nèi)存也有自己的工作頻率，頻率以MHz為單位內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前最為主流的內(nèi)存頻率為DDR2-800和DDR3-1333，作為DDR2的替代者，DDR3內(nèi)存的頻率已經(jīng)在向3000MHz進(jìn)發(fā)。
內(nèi)存容量
內(nèi)存的容量不但是影響內(nèi)存價(jià)格的因素，同時(shí)也是影響到整機(jī)系統(tǒng)性能的因素。過去Windows XP平臺(tái)，512M的內(nèi)存還是主流，1GB已經(jīng)是大容量;到了現(xiàn)在，64位系統(tǒng)開始普及，Windows Vista、Windows 7越來越多人使用，沒有2GB左右的內(nèi)存都不一定能保證操作的流暢度。目前，單根內(nèi)存的容量主要有1GB、2GB兩種，高端的還有很罕有的單根4GB超大容量?jī)?nèi)存
工作電壓
內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。DDR2內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右，而DDR3內(nèi)存則在1.6V左右。有的高頻內(nèi)存需要工作在高于標(biāo)準(zhǔn)的電壓值下，具體到每種品牌、每種型號(hào)的內(nèi)存，則要看廠家了。只要在允許的范圍內(nèi)浮動(dòng)，略微提高內(nèi)存電壓，有利于內(nèi)存超頻，但是同時(shí)發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風(fēng)險(xiǎn)。
內(nèi)存時(shí)序參數(shù)
BIOS內(nèi)存時(shí)序設(shè)置
tCL : CAS Latency Control(tCL)
一般我們?cè)诓殚唭?nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí)，如“8-8-8-24”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個(gè)第一個(gè)“8”就是第1個(gè)參數(shù)，即CL參數(shù)。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請(qǐng)求觸發(fā)后，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )開始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會(huì)導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫操作。
內(nèi)存標(biāo)簽
tRCD : RAS to CAS Delay
該值就是“8-8-8-24”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第2個(gè)參數(shù)，即第2個(gè)“8”。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時(shí)間"，數(shù)值越小，性能越好。對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能。如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)
該值就是“8-8-8-24”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第3個(gè)參數(shù)，即第3個(gè)“8”。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時(shí)間。
tRAS : Min RAS Active Timing
該值就是該值就是“8-8-8-24”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的最后一個(gè)參數(shù)，即“24”。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在24~30之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長(zhǎng)，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。
對(duì)于大多數(shù)人來說，內(nèi)存這個(gè)小硬件選好容量和頻率，然后插上主板用上就行了，對(duì)它的很多小參數(shù)完全不在意。所以，行業(yè)廠商也會(huì)提供比較傻瓜式的讀取內(nèi)存SPD芯片的參數(shù)信息，自動(dòng)設(shè)置各項(xiàng)小參，簡(jiǎn)單好用;更有簡(jiǎn)單的超頻設(shè)置——XMP技術(shù)，讓普通用戶也能簡(jiǎn)單地享受超頻增值的樂趣。當(dāng)然，真正的玩家在超頻時(shí)為了達(dá)到最理想的效果，還是更傾向于手動(dòng)設(shè)置各項(xiàng)小參。希望通過這篇文章，大家能對(duì)內(nèi)存的各項(xiàng)參數(shù)有更深的理解，并在使用上有一定的幫助。
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2.計(jì)算機(jī)的性能指標(biāo)中,用戶可用的內(nèi)存容量通常是指什么