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雙通道內(nèi)存技術(shù)存在著什么問題

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雙通道內(nèi)存技術(shù)存在著什么問題

  當下雙通道內(nèi)存技術(shù)還存在著什么樣的問題呢?下面將由學(xué)習(xí)啦小編帶大家來解答這個疑問吧,希望對大家有所收獲!

  雙通道內(nèi)存技術(shù)原理

  雙通道內(nèi)存技術(shù)其實就是雙通道內(nèi)存控制技術(shù),它能有效地提高內(nèi)存總帶寬,從而適應(yīng)新的微處理器的數(shù)據(jù)傳輸、處理的需要。雙通道DDR有兩個64bit內(nèi)存控制器,雙64bit內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個128bit內(nèi)存體系所提供的帶寬。

  雙通道體系包含了兩個獨立的、具備互補性的智能內(nèi)存控制器,兩個內(nèi)存控制器都能夠并行運作。例如,當控制器B準備進行下一次存取內(nèi)存的時候,控制器A就在讀/寫主內(nèi)存,反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補“天性”可以讓有效等待時間縮減50%,因此雙通道技術(shù)使內(nèi)存的帶寬翻了一翻。它的技術(shù)核心在于:芯片組(北橋)可以在兩個不同的數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀取數(shù)據(jù),RAM可以達到128bit的帶寬。

  雙通道內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展

  雙通道內(nèi)存技術(shù)最初是從RAMBUS推出的RDRAM內(nèi)存條開始的。RAMBUS的內(nèi)存速度非??欤强偩€寬度卻比SDRAM內(nèi)存還要小,因此它不得不結(jié)合Intel的雙通道內(nèi)存控制技術(shù)提高帶寬,達到高速數(shù)據(jù)傳輸速率的目的。不過RAMBUS由于生產(chǎn)成本過高的原因,逐步被市場淘汰,但是雙通道內(nèi)存控制技術(shù)得到了發(fā)揚光大。如今Pentium 4采用的NetBurst架構(gòu)對內(nèi)存帶寬要求非常高,如果內(nèi)存無法提供相應(yīng)的數(shù)據(jù)傳輸率,這么快的處理器總線速度也是無用的。

  因此只有通過雙通道內(nèi)存控制技術(shù)才能夠解決這個問題。最近金邦推出了DDR500內(nèi)存條,單條的數(shù)據(jù)帶寬達到4GB,如果使用雙通道技術(shù),帶寬將達到8GB。

  雙通道內(nèi)存技術(shù)的應(yīng)用

  雙通道內(nèi)存主要是依靠主板北橋的控制技術(shù),與內(nèi)存本身無關(guān)。目前支持雙通道內(nèi)存技術(shù)的主板有Intel的i865和i875系列,SIS的SIS655、658系列,nVIDIAD的nFORCE2系列等。Intel最先推出的支持雙通道內(nèi)存技術(shù)的芯片組為E7205和E7500系列。

  雙通道內(nèi)存的安裝有一定的要求。主板的內(nèi)存插槽的顏色和布局一般都有區(qū)分。如果是Intel的i865和i875系列,主板一般有4個DIMM插槽,每兩根一組,每組顏色一般不一樣,每一個組代表一個內(nèi)存通道,只有當兩組通道上都同時安裝了內(nèi)存條時,才能使內(nèi)存工作在雙通道模式下。另外要注意對稱安裝,即第一個通道第1個插槽搭配第二個通道第1個插槽,依此類推。用戶只要按不同的顏色搭配,對號入座地安裝即可。如果在相同顏色的插槽上安裝內(nèi)存條,則只能工作在單通道模式。而nFORCE2系列主板同樣有兩個64bit的內(nèi)存控制器,其中A控制器只支持一根內(nèi)存插槽,B通道則支持兩根。A、B插槽之間有一段距離,以方便用戶識別。A通道的內(nèi)存插槽在顏色上也可能與B通道兩個內(nèi)存插槽不同,用戶只要將一根內(nèi)存插入獨立的內(nèi)存插槽而將另外一根

  插到另外兩個彼此靠近的內(nèi)存插槽就能組建成雙通道模式。此外,如果全部插滿內(nèi)存,也能建立雙通道模式,而且nForce2主板在組建雙通道模式時對內(nèi)存容量乃至型號都沒有嚴格的要求,使用方便。

  如果安裝方法正確,在主板開機自檢時,屏幕顯示內(nèi)存的工作模式(如DDR333 Dual Channel

  Mode Enabled、激活雙通道模式等),則內(nèi)存已經(jīng)工作在雙通道模式。

  雙通道內(nèi)存技術(shù)存在的問題

  雙通道內(nèi)存控制技術(shù)的出現(xiàn)對使用P4的用戶性能有了一定的提升,也是未來發(fā)展的趨勢。組裝雙通道內(nèi)存系統(tǒng)時要注意內(nèi)存條的搭配,Intel的要求比其他主板要高,最好使用相同品牌、相同型號的內(nèi)存條,以確保穩(wěn)定性。

  任何一項技術(shù)都有其優(yōu)點也有其缺點,雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)也不例外。首先,雙通道內(nèi)存都需要成對地使用,這樣就大大降低了內(nèi)存配置的靈活性。更重要的一點是在采購內(nèi)存的時候至少要選擇2×64MB、2×128MB……,這會使用戶在內(nèi)存方面的預(yù)算成倍地增加。其次,雙通道內(nèi)存技術(shù)的理論值雖然非常誘人,但是由于各種因素,其實際應(yīng)用的性能并不能比單通道DDR內(nèi)存高1倍,當然也無法比PC133 SDRAM高出4倍,因為畢竟在現(xiàn)有的系統(tǒng)條件下,系統(tǒng)性能瓶頸不僅僅是內(nèi)存。從一些測試結(jié)果可以看到,采用128bit內(nèi)存通道的系統(tǒng)性能比采用64bit內(nèi)存通道的系統(tǒng)性能高出3%~5%,最高的可以獲得15%~18%的性能提升。

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