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電腦內(nèi)存條如何區(qū)分

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電腦內(nèi)存條如何區(qū)分

  現(xiàn)在市面上的內(nèi)存分為三代:DDR1、DDR2和DDR3.它們?nèi)咧g有什么區(qū)別呢?我們又該怎么去區(qū)分呢?下面就讓學(xué)習(xí)啦小編為大家一一介紹吧。

  與DDR相比,DDR2最主要的改進(jìn)是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下,可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。

  圖1就是三代內(nèi)存的全家照,從上到下分別是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢記住它們的樣子,因?yàn)楹竺娴膬?nèi)容會(huì)提到這幅圖。

  防呆缺口:位置不同防插錯(cuò)

  圖1紅圈圈起來(lái)的就是我們說(shuō)的防呆缺口,目的是讓我們安裝內(nèi)存時(shí)以免插錯(cuò)。我們從圖1可以看見(jiàn)三代內(nèi)存上都只有一個(gè)防呆缺口,大家注意一下這三個(gè)卡口的左右兩邊的金屬片,就可以發(fā)現(xiàn)缺口左右兩邊的金屬片數(shù)量是不同的。

  比如DDR 內(nèi)存單面金手指針腳數(shù)量為92個(gè)(雙面184個(gè)),缺口左邊為52個(gè)針腳,缺口右邊為40個(gè)針腳;DDR2 內(nèi)存單面金手指120個(gè)(雙面240個(gè)),缺口左邊為64個(gè)針腳,缺口右邊為56個(gè)針腳;DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(gè)(雙面240個(gè)),缺口左邊為72個(gè)針腳,缺口右邊為48個(gè)針腳。

  芯片封裝:濃縮是精華

  在不同的內(nèi)存條上,都分布了不同數(shù)量的塊狀顆粒,它就是我們所說(shuō)的內(nèi)存顆粒。同時(shí)我們也注意到,不同規(guī)格的內(nèi)存,內(nèi)存顆粒的外形和體積不太一樣,這是因?yàn)閮?nèi)存顆粒“包裝”技術(shù)的不同導(dǎo)致的。一般來(lái)說(shuō),DDR內(nèi)存采用了TSOP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封裝)封裝技術(shù),又長(zhǎng)又大。而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA(底部球形引腳封裝)封裝技術(shù),與TSOP相比,內(nèi)存顆粒就小巧很多,F(xiàn)BGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優(yōu)勢(shì)明顯。

  TSOP是內(nèi)存顆粒通過(guò)引腳(圖2黃色框)焊接在內(nèi)存PCB上的,引腳由顆粒向四周引出,所以肉眼可以看到顆粒與內(nèi)存PCB接口處有很多金屬柱狀觸點(diǎn),并且顆粒封裝的外形尺寸較大,呈長(zhǎng)方形,其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高,但焊點(diǎn)和PCB的接觸面積較小,使得DDR內(nèi)存的傳導(dǎo)效果較差,容易受干擾,散熱也不夠理想。

  FBGA封裝把DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒做成了正方形(圖3),而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一,內(nèi)存PCB上也看不到DDR內(nèi)存芯片上的柱狀金屬觸點(diǎn),因?yàn)槠渲鶢詈更c(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面,所有的觸點(diǎn)就被“包裹”起來(lái)了,外面自然看不到。其優(yōu)點(diǎn)是有效地縮短了信號(hào)的傳導(dǎo)距離。

  速度與容量:成倍提升

  前面我們教大家如何計(jì)算內(nèi)存帶寬大小,其實(shí)我們?cè)谶x擇內(nèi)存和CPU搭配的時(shí)候就是看內(nèi)存帶寬是否大于或者等于CPU的帶寬,這樣才可以滿足CPU的數(shù)據(jù)傳輸要求。

  而我們從帶寬公式(帶寬=位寬×頻率÷8)可以得知,和帶寬關(guān)系最緊密的就是頻率。這也是為什么三代內(nèi)存等效頻率一升再升的原因之一,其目的就是為了滿足CPU的帶寬。

  不僅速度上有所提升,而且隨著我們應(yīng)用的提高,我們也需要更大容量的單根內(nèi)存,DDR時(shí)代賣(mài)得最火的是512MB和1GB的內(nèi)存,而到了DDR2時(shí)代,兩根1GB內(nèi)存就只是標(biāo)準(zhǔn)配置了,內(nèi)存容量為4GB的電腦也逐漸多了起來(lái)。甚至在今后還會(huì)有單根8GB的內(nèi)存出現(xiàn)。這說(shuō)明了人們的對(duì)內(nèi)存容量的要求在不斷提高。

  延遲值:一代比一代高

  任何內(nèi)存都有一個(gè)CAS延遲值,這就好像甲命令乙做事情,乙需要思考的時(shí)間一樣。一般而言,內(nèi)存的延遲值越小,傳輸速度越快。

  從DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存身上看到,雖然它們的傳輸速度越來(lái)越快,頻率越來(lái)越高,容量也越來(lái)越大,但延遲值卻提高了,譬如DDR內(nèi)存的延遲值(第一位數(shù)值大小最重要,普通用戶關(guān)注第一位延遲值就可以了)為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時(shí)代,延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時(shí)代,延遲值也繼續(xù)提升到了5、6、7、8或更高。

  功耗:一次又一次降低

  電子產(chǎn)品要正常工作,肯定要有電。有電,就需要工作電壓,該電壓是通過(guò)金手指從主板上的內(nèi)存插槽獲取的,內(nèi)存電壓的高低,也反映了內(nèi)存工作的實(shí)際功耗。一般而言,內(nèi)存功耗越低,發(fā)熱量也越低,工作也更穩(wěn)定。DDR內(nèi)存的工作電壓為2.5V,其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時(shí)代,工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3內(nèi)存時(shí)代,工作電壓從1.8V降至1.5V,相比DDR2可以節(jié)省30%~40%的功耗。為此我們也看到,從DDR內(nèi)存發(fā)展到DDR3內(nèi)存,盡管內(nèi)存帶寬大幅提升,但功耗反而降低,此時(shí)內(nèi)存的超頻性、穩(wěn)定性等都得到進(jìn)一步提高。

  制造工藝:不斷提高

  從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存,其制造工藝都在不斷改善,更高的工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好,成本更低。譬如DDR內(nèi)存顆粒廣泛采用0.13微米制造工藝,而DDR2顆粒采用了0.09微米制造工藝,DDR3顆粒則采用了全新65nm制造工藝(1微米=1000納米)。

  總結(jié)

  內(nèi)存的知識(shí)就講到這里了,總的說(shuō)來(lái),內(nèi)存主要扮演著CPU數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)的角色,所以CPU性能的提升,內(nèi)存的容量和性能都要跟得上,但也不可盲目地把內(nèi)存容量配得過(guò)大。對(duì)于大多數(shù)用戶來(lái)說(shuō)2GB DDR2 800的內(nèi)存就足夠了,而偏高端一點(diǎn)的電腦使用總?cè)萘繛?GB的內(nèi)存就差不多了。

  物理內(nèi)存和虛擬內(nèi)存

  物理內(nèi)存就是我們所能見(jiàn)到的內(nèi)存條。而虛擬內(nèi)存就是“假”的內(nèi)存條,它是在硬盤(pán)上開(kāi)辟的一個(gè)用于存儲(chǔ)的空間,對(duì)于物理內(nèi)存來(lái)說(shuō),它是一種擴(kuò)展和補(bǔ)充。當(dāng)內(nèi)存空間緊張時(shí),系統(tǒng)就會(huì)將一些暫時(shí)用不到的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到虛擬內(nèi)存當(dāng)中。這就像在一個(gè)流動(dòng)倉(cāng)庫(kù)中,管理員把一些滯銷(xiāo)的貨物先移到后備倉(cāng)庫(kù)去,將空間騰出來(lái)留給那些經(jīng)常進(jìn)出倉(cāng)庫(kù)的貨物使用。

  DIMM

  DIMM的全稱(chēng)是Dual Inline Memory Module(雙列直插內(nèi)存模組),我們可以簡(jiǎn)單地將它理解為內(nèi)存插槽的類(lèi)型。從最初的SDRAM DIMM到DDR DIMM,再到現(xiàn)在的DDR2 DIMM,幾種類(lèi)型所規(guī)定的針腳(即金手指)數(shù)量、針腳定義防呆缺口等等都不相同,不能混用。

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