DDR4內(nèi)存是新一代的產(chǎn)品，目前來說還沒有完全上市。那么不少用戶就會問了，DDR4內(nèi)存和DDR3內(nèi)存有什么區(qū)別呢?下面學習啦小編就為大家介紹一下具體的區(qū)別吧，歡迎大家參考和學習。

　　DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存有以下5方面不同：

　　一、頻率和電壓

　　在頻率方面，DDR4內(nèi)存的工作頻率將從2133MHz 起跳，最高甚至可以達到4266MHz。這個頻率相比DDR3 內(nèi)存有相當大的提升。

　　在電壓方面，DDR3 內(nèi)存的工作電壓為1.5V，而DDR4內(nèi)存的工作電壓將近一步的降低，預計最低可以做到1.2V。

　　二、傳輸機制

　　相對于DDR3，DDR4的一大改進就體現(xiàn)在信號傳輸機制上。它擁有兩種規(guī)格:除了可支持Single-endedSignaling信號( 傳統(tǒng)SE信號)外，還引入了DifferentialSignaling( 差分信號技術(shù) )技術(shù)。

　　三、訪問機制

　　對于DDR3內(nèi)存來說，目前數(shù)據(jù)讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在DDR4內(nèi)存中，訪問機制已經(jīng)改為了點對點技術(shù)，這是DDR4整個存儲系統(tǒng)的關(guān)鍵性設計。

　　點對點相當于一條主管道只對應一個水箱(這種機制的改變其實并不會對傳輸速度產(chǎn)生太大的影響，因為主管道的大小并沒有改變)，這樣設計的好處可以大大簡化內(nèi)存模塊的設計、更容易達到更高的頻率。

　　四、封裝技術(shù)

　　DDR4內(nèi)存采用3DS封裝技術(shù)，3DS(3-Dimensional Stack，三維堆疊)技術(shù)是DDR4內(nèi)存中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，它用來增大單顆芯片的容量。

　　在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。

　　五、外觀

　　DDR3內(nèi)存金手指是240個，內(nèi)存金手指是平直的;而DDR4內(nèi)存金手指是284個，內(nèi)存金手指呈彎曲狀。