想加個(gè)內(nèi)存條該怎么選
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加個(gè)內(nèi)存條該選購(gòu)方法：
內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率室333MHz和400MHz的DDR內(nèi)存，以及533MHz和667MHz的DDR2內(nèi)存。
大家知道，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來(lái)衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動(dòng)起來(lái)，這一震動(dòng)可以通過(guò)晶片的形變和大小記錄下來(lái)。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來(lái)，這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的，也就是說(shuō)內(nèi)存無(wú)法決定自身的工作頻率，其實(shí)際工作頻率是由主板來(lái)決定的。
DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍;而DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡(jiǎn)單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。
其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過(guò)搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。
再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過(guò)才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達(dá)到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率)，由此可見，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。
目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。
傳輸類型指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類型，不同類型的內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋透饔胁町?，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場(chǎng)中主要有的內(nèi)存類型有SDRAM、RDRAM、DDR和DDR2四種。其中DDR和DDR2內(nèi)存占據(jù)了市場(chǎng)的主流，而SDRAM內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展，處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場(chǎng)的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場(chǎng)，RDRAM前景并不被看好。
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