內(nèi)存參數(shù)的詳細(xì)介紹

　　內(nèi)存大家都知道，是電腦硬件的一種，那么，內(nèi)存中的參數(shù)，大家了解嗎?學(xué)習(xí)啦小編在這里給大家詳細(xì)介紹內(nèi)存里的參數(shù)是什么。

　　1.工作頻率

　　內(nèi)存的工作頻率即該內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。例如PC100標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存頻率是100MHz，PC133的頻率是133MHz。而DDR內(nèi)存它是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，由于它是在同頻的SDRAM的基礎(chǔ)上的數(shù)據(jù)雙倍傳送，那么它的帶寬就比同頻的SDRAM多一倍，例如DDR266內(nèi)存它以133MHz運(yùn)行時(shí)其實(shí)際工作頻率就是266MHz，帶寬就是2.1GB/S。

　　如果你要買一根DDR333的內(nèi)存，商家卻拿了一根DDR266的給你，比較簡(jiǎn)單可行的辨別辦法是，可從DDR內(nèi)存的存取時(shí)間上來(lái)了解，例如-7和-7.5納秒的一般為DDR266的內(nèi)存，-6納秒的一般為DDR333的內(nèi)存，-5納秒一般為DDR400內(nèi)存。

　　而DDR的后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)DDRII同DDR相比更加先進(jìn)，它在DDR數(shù)據(jù)雙倍傳送的基礎(chǔ)上發(fā)展成為數(shù)據(jù)四倍傳送，比DDR又快了一倍!如果同樣運(yùn)行在133MHz的外頻下，其工作頻率為532MHz/S，它的帶寬就可達(dá)4.2GB/S。

　　2.CAS值

　　大家知道，內(nèi)存有個(gè)CAS(Column Address Strobe，列地址選通脈沖)延遲時(shí)間，內(nèi)存在存儲(chǔ)信息時(shí)就象一個(gè)大表格一樣，通過(guò)行(Column)和列(Row)來(lái)為所有存儲(chǔ)在內(nèi)存里的信息定位，CL就是指要多少個(gè)時(shí)鐘周期后才能找到相應(yīng)的位置。

　　對(duì)于SDRAM而言一般有2和3兩個(gè)值選擇，而DDR內(nèi)存可分為2和2.5兩種。CAS值越小越好，也就是說(shuō)DDR內(nèi)存值為2的產(chǎn)品性能要好于2.5的產(chǎn)品，如果你需要的是CAS值為2的產(chǎn)品，那么大家在選擇時(shí)要注意JS用2.5的產(chǎn)品做2的產(chǎn)品來(lái)賣給大家(可實(shí)際使用或用內(nèi)存測(cè)試軟件進(jìn)行測(cè)試)。

　　3.內(nèi)存的標(biāo)示常識(shí)

　　此外，了解一些DDR內(nèi)存芯片的編號(hào)知識(shí)也能讓大家更深的了解DDR內(nèi)存。下面我們就以最常見(jiàn)的HY的DDR內(nèi)存為例為大家做一講解：

　　HY XX X XX XX XX X X X X X-XX

　　1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

　　1：代表HY的廠標(biāo)

　　2：為內(nèi)存芯片類型—5D：DDR SDRAMS

　　3：工藝與工作電壓—V：CMOS，3.3V;U:CMOS，2.5V

　　4：芯片容量和刷新速率—64:64MB，4kref;66:64MB，2kref;28:128MB，4kref;56:256MB，8kref;12 :512MB，8kref

　　5: 芯片結(jié)構(gòu)(數(shù)據(jù)寬度)—4：X4(數(shù)據(jù)寬度4bit);8:x8;16:x16;32:x32

　　6：BANK數(shù)量—1:2BANKs;2:4BANKs

　　7：I/O界面—1:SSTL_3;2:SSTL_2

　　8：芯片內(nèi)核版本—空白:第一代;A:第二代;B:第三代;C:第四代

　　9：能量等級(jí)—空白:普通;L:低能耗

　　10：封裝形式—T:TSOP;Q:TQFP;L:CSP(LF-CSP);F:FBGA

　　11：工作速度—33:300MHz;4:250MHz;43:233MHz;45:222MHz;5:200MHz;55:183MHz;K:DDR266A;H:DDR266B;L:DDR200