計(jì)算機(jī)ram和rom的區(qū)別是什么
計(jì)算機(jī)ram和rom的區(qū)別是什么
在計(jì)算機(jī)的內(nèi)存中與兩種不同的儲(chǔ)存方式!下面是學(xué)習(xí)啦小編為你整理的計(jì)算機(jī)ram和rom的區(qū)別是什么，供大家閱覽!
ROM與RAM
簡(jiǎn)單的說(shuō)，一個(gè)完整的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是由軟件和硬件組成的。其中，硬件部分由中央處理單元CPU(包括運(yùn)算器和控制器)、存儲(chǔ)器和輸入/輸出設(shè)備構(gòu)成。目前個(gè)人電腦上使用的主板一般只能支持到1GB的內(nèi)存，即使是INTEL目前最高階的450NX芯片組也只能支持到4GB。
存儲(chǔ)器包括主存儲(chǔ)器(Main Memory)和輔助存儲(chǔ)器(Auxiliary Memory)。主存儲(chǔ)器又稱(chēng)內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)存)，輔助存儲(chǔ)器又稱(chēng)外存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱(chēng)外存)。主存具有速度快、價(jià)格高、容量小的特點(diǎn)，負(fù)責(zé)直接與CPU交換指令和數(shù)據(jù)。輔存通常是磁性介質(zhì)或光盤(pán)，能長(zhǎng)期保存信息，并且不依賴(lài)于電來(lái)保存信息。輔存速度慢、價(jià)格低、容量大，可以用來(lái)保存程序和數(shù)據(jù)。常見(jiàn)的輔存如硬盤(pán)、軟盤(pán)、CD-ROM等，而現(xiàn)在的主存一般就是指半導(dǎo)體集成電路存儲(chǔ)器了。那主存和內(nèi)存有什么關(guān)系呢?可以這么認(rèn)為：主存就是廣義的內(nèi)存。
廣義的內(nèi)存分為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM，RANDOM ACCESS MEMORY)和只讀存儲(chǔ)器(ROM，READ ONLY MEMORY)。電腦上使用RAM來(lái)臨時(shí)存儲(chǔ)運(yùn)行程序需要的數(shù)據(jù)，不過(guò)如果電腦斷電后，這些存儲(chǔ)在RAM中的數(shù)據(jù)將全部丟失。每種每臺(tái)電腦中都結(jié)合有兩種基本類(lèi)型的內(nèi)存，它們分別有不同的用途以完成不同的任務(wù)。 為了存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的持久性，ROM常用
于存儲(chǔ)電腦重要的信息例如：電腦主板的BIOS(基本輸入/輸出系統(tǒng))。不像RAM，存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)理論上是永久的。即使電腦關(guān)機(jī)后，保存在ROM中的數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。 存儲(chǔ)在BIOS中的信息控制著你電腦系統(tǒng)的運(yùn)行。真因?yàn)槠渲匾裕瑢?duì)BIOS未經(jīng)授權(quán)的復(fù)制或刪除是不允許的。
一、 RAM
RAM是指通過(guò)指令可以隨機(jī)的、個(gè)別的對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，一般訪問(wèn)時(shí)間基本固定，而與存儲(chǔ)單元地址無(wú)關(guān)。RAM的速度比較快，但其保存的信息需要電力支持，一旦丟失供電即數(shù)據(jù)消失，所以又叫易失性存儲(chǔ)器，還有一種很有趣的叫法是"揮發(fā)性存儲(chǔ)器"，當(dāng)然這里"揮發(fā)"掉的是數(shù)據(jù)而不是物理上的芯片。在51單片機(jī)中,RAM主要用來(lái)保存數(shù)據(jù)、中間結(jié)果和運(yùn)行程序等，所以也把RAM叫做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1.RAM的分類(lèi)
RAM又分動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM，DYNAMIC RAM)和靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM，STATIC RAM)我們經(jīng)常說(shuō)的“系統(tǒng)內(nèi)存”就是指后者，DRAM。靜態(tài)RAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)記憶信息的，只要不斷電，信息是不會(huì)丟失的，所以謂之靜態(tài);動(dòng)態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來(lái)記憶信息的。由于電容上的電荷會(huì)泄漏，需要定時(shí)給與補(bǔ)充，這個(gè)充電的過(guò)程叫再生或刷新(REFRESH)，所以動(dòng)態(tài)RAM需要設(shè)臵刷新電路。由于電容的充放電是需要相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間的，
DRAM的速度要慢于SRAM。但SRAM免刷新的優(yōu)點(diǎn)需要較復(fù)雜的電路支持，如一個(gè)典型的SRAM的存儲(chǔ)單元需要六個(gè)晶體管(三極管)構(gòu)成，而DRAM的一個(gè)存儲(chǔ)單元最初需要三個(gè)晶體管和一個(gè)電容，后來(lái)經(jīng)過(guò)改進(jìn)，就只需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容了，所以動(dòng)態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適于作大容量存儲(chǔ)器。所以主內(nèi)存通常采用動(dòng)態(tài)RAM，而高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)則使用靜態(tài)RAM。另外，內(nèi)存還應(yīng)用于顯卡、聲卡及CMOS等設(shè)備中，用于充當(dāng)設(shè)備緩存或保存固定的程序及數(shù)據(jù)。
2.目前和未來(lái)的的內(nèi)存
目前在市場(chǎng)上還是SDRAM占統(tǒng)治地位，是目前的主流內(nèi)存。但是隨著內(nèi)存技術(shù)蓬勃發(fā)展，幾個(gè)大廠商都在加緊自己新型內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展，其中尤以RDRAM和DDR的較量最為激烈，可以預(yù)料未來(lái)將是RDRAM和DDR的天下。
下面將分別介紹這幾種內(nèi)存。
SDRAM：SDRAM(Synchronous DRAM)的中文名字是“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”，這就是目前主推的PC100和PC133規(guī)范所廣泛使用的內(nèi)存類(lèi)型，它的帶寬為64bit，3.3 V電壓，目前產(chǎn)品的最高速度可達(dá)5ns。它是與CPU使用相同的時(shí)鐘頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，它的工作頻率是與CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時(shí)間。
DDR SDRAM：又簡(jiǎn)稱(chēng)DDR，是“雙倍速率SDRAM”的意思，由于它可以在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/S。DDR不支持3.3V
電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)。它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM的生產(chǎn)體系，制造成本比SDRAM略高一些(約為10%左右)。 RDRAM：Direct Rambus DRAM(DRDRAM)“接口動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”，這是Intel所推崇的未來(lái)內(nèi)存的發(fā)展方向，它將RISC(精簡(jiǎn)指令集)引入其中，依靠高時(shí)鐘頻率來(lái)簡(jiǎn)化每個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量。它具有相對(duì)SDRAM較高的工作頻率(不低于300MHz)，但其數(shù)據(jù)通道接口帶寬較低，只有16bit，當(dāng)工作時(shí)鐘為300MHz時(shí)，Rambus利用時(shí)鐘的上沿和下沿分別傳輸數(shù)據(jù)，因此它的數(shù)據(jù)傳輸率能達(dá)到300×16×2÷8=1.2GB/S，若是兩個(gè)通道，就是2.4GB/S。它與傳統(tǒng)DRAM的區(qū)別在于引腳定義會(huì)隨命令變化，同一組引腳線既可以被定義成地址線也可以被定義成控制線。其引腳數(shù)僅為普通DRAM的三分之一。當(dāng)需要擴(kuò)展芯片容量時(shí)，只需要改變命令，不需要增加芯片引腳。DRDRAM要求RIMM中必須都插滿，空余的插槽中必須插上傳接板(也叫終結(jié)器)。
二 ROM
ROM英文概念是 Read Only Memory，只讀式存儲(chǔ)器，在計(jì)算機(jī)中，是一種類(lèi)型的內(nèi)存。此類(lèi)型內(nèi)存常被用于存儲(chǔ)重要的或機(jī)密的數(shù)據(jù)。理想上認(rèn)為，此種類(lèi)型的內(nèi)存是只能讀取，而不允許擦寫(xiě)。在51單片機(jī)中，ROM一般用來(lái)存放常數(shù)、數(shù)據(jù)表格、程序代碼等，所以也叫做程序存儲(chǔ)器
不過(guò)也有一些不同一般的ROM類(lèi)型，它可為某種特殊的要求而
涮新其內(nèi)容。
1、ROM 是標(biāo)準(zhǔn)的ROM，用于永久性存儲(chǔ)重要數(shù)據(jù)。當(dāng)一項(xiàng)科技性產(chǎn)品需要其部份信息不會(huì)隨著外界等因素的變化而變更時(shí)，它們通常都使用此標(biāo)準(zhǔn)的ROM模塊。在ROM中，信息是被永久性的蝕刻在ROM單元中的，這使得ROM在完成蝕刻工作后是不可能再將其中的信息改變。
2、PROM(Programmable ROM，可編程ROM) 此類(lèi)型的ROM的工作原理與CD-R相似，它允許你一次性地重寫(xiě)其中的數(shù)據(jù)，請(qǐng)記得：重寫(xiě)(涮新)其中數(shù)據(jù)的次數(shù)只有一次。一旦信息被寫(xiě)入PROM后，數(shù)據(jù)也將被永久性地蝕刻其中了，之后此塊PROM與上面介紹的ROM就沒(méi)什么兩樣了。
3、EPROM(Erasable Programmable ROM，可擦去可編程ROM) 當(dāng)然存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)需要抹去或進(jìn)行重新寫(xiě)入時(shí)，EPROM可以辦到。使用紫外線照射此類(lèi)型的ROM可以抹去其中的數(shù)據(jù)，它還允許將你需要的信息存儲(chǔ)入此類(lèi)ROM中。
4、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦去可編程ROM) 此類(lèi)ROM現(xiàn)在常用于電腦系統(tǒng)的BIOS，它與EPROM非常相似，EEPROM中的信息也同樣可以被抹去，也可以向其中寫(xiě)入新數(shù)據(jù)。就如其名字所示，對(duì)于此EEPROM我們可以使用電來(lái)對(duì)其進(jìn)行擦寫(xiě)，而不需要紫外線，這對(duì)于主板的BIOS是非常有用的?；谏厦嫠榻B的原理，主板制造商可以發(fā)布他們最新的BIOS，以供用戶升級(jí)主板的BIOS，而升級(jí)的方法就是利用BIOS升級(jí)程序來(lái)對(duì)產(chǎn)生電信號(hào)以涮新BIOS中的信息。 通過(guò)上面的分析介紹，非常明顯并不是所有的ROM內(nèi)存都是“Read Only，只讀的“，那為什么都稱(chēng)他們?yōu)橹蛔x的呢?其實(shí)這只是延用歷史名稱(chēng)罷了;至于其中的非只讀部份卻帶給了我們?cè)S多好外;例如常用于主板BIOS的EEPROM，正因?yàn)樗遣皇侵蛔x的，而是可擦寫(xiě)的，因此主板產(chǎn)商可以通過(guò)發(fā)布最新主板BIOS的升級(jí)程序，用戶只需下載并運(yùn)行這些程序就可能升級(jí)主板的BIOS，而不必拿著主板到產(chǎn)商那去升級(jí)BIOS。
5、Flash-ROM(閃存)已經(jīng)成為了目前最成功、流行的一種固態(tài)內(nèi)存，廣泛的用于主板和顯卡聲卡網(wǎng)卡等擴(kuò)展卡的BIOS存儲(chǔ)上。與 EEPROM 相比具有讀寫(xiě)速度快，而與 SRAM 相比具有非易失、以及價(jià)廉等優(yōu)勢(shì)。閃存是非易失內(nèi)存，可以對(duì)稱(chēng)為塊的內(nèi)存單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何閃存器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執(zhí)行擦除。而基于 NOR 和 NAND 結(jié)構(gòu)的閃存是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel 于 1988 年首先開(kāi)發(fā)出 NOR flash 技術(shù)，徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989 年?yáng)|芝公司發(fā)表了 NAND flash 技術(shù)(后將該技術(shù)無(wú)償轉(zhuǎn)讓給韓國(guó) Samsung 公司)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)
三 有關(guān)BIOS和CMOS
BIOS 系統(tǒng)開(kāi)機(jī)啟動(dòng) BIOS，即微機(jī)的基本輸入輸出系統(tǒng)(Basic Input-Output System)，是集成在主板上的一個(gè)ROM芯片，其中保存有微機(jī)系統(tǒng) 最重要的基本輸入/輸出程序、系統(tǒng)信息設(shè)臵、開(kāi)機(jī)上電自檢程序和系統(tǒng)啟動(dòng)自舉程序。在主板上可以看到BIOS ROM芯片，586以后的ROM BIOS多采用EEPROM(電可擦寫(xiě)只讀ROM)，通過(guò)跳線開(kāi)關(guān)和系統(tǒng)配帶的驅(qū)動(dòng)程序盤(pán)，可以對(duì)EEPROM進(jìn)行重寫(xiě)，方便地實(shí)現(xiàn)BIOS升級(jí)。一塊主板性能優(yōu)越與否，很大程度上取決于板上的BIOS管理功能是否先進(jìn)。BIOS中斷例程 即BIOS中斷服務(wù)程序。它是微機(jī)系統(tǒng)軟、硬件之間的一個(gè)可編程接口，用于程序軟件功能與微機(jī)硬件實(shí)現(xiàn)的衍接。
BIOS系統(tǒng)設(shè)臵程序 微機(jī)部件配臵情況是放在一塊可讀寫(xiě)的CMOS RAM芯片中的，它保存著系統(tǒng)CPU、軟硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、顯示器、鍵盤(pán)等部件的信息。 關(guān)機(jī)后，系統(tǒng)通過(guò)主板上一塊后備電池向CMOS供電以保持其中的信息。如果CMOS中關(guān)于微機(jī)的配臵信息不正確，會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)性能降 低、零部件不能識(shí)別，并由此引發(fā)一系統(tǒng)的軟硬件故障。在BIOS ROM芯片中裝有一個(gè)程序稱(chēng)為“系統(tǒng)設(shè)臵程序”，就是用來(lái)設(shè)臵CMOS RAM中的參數(shù)的。這個(gè)程序一般在開(kāi)機(jī)時(shí)按下一個(gè)或一組鍵即可進(jìn)入，它提供了良好的界面供用戶使用。這個(gè)設(shè)臵 CMOS參數(shù)的過(guò)程，習(xí)慣上也稱(chēng)為“BIOS設(shè)臵”。新購(gòu)的微機(jī)或新增了部件的系統(tǒng)，都需進(jìn)行BIOS設(shè)臵。BIOS系統(tǒng)啟動(dòng)自舉程序 在完成POST(Power On Self Test,上電自 檢)自檢后，ROM BIOS將按照系統(tǒng)CMOS設(shè)臵中的啟動(dòng)順序搜尋軟硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器及CDROM、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器等有效的啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)器 ，讀入操作系統(tǒng)引導(dǎo)記錄，然后將系統(tǒng)控制權(quán)交給引導(dǎo)記錄，由引導(dǎo)記錄完成系統(tǒng)的啟動(dòng)。
CMOS(本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體——一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料)是微機(jī)主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片，用來(lái)保存當(dāng)前系統(tǒng)的硬件配臵和用戶對(duì)某些參數(shù)的設(shè)定。CMOS可由主板的電池供電，即使系統(tǒng)掉電，信息也不會(huì)丟失。CMOS RAM本身只是一塊存儲(chǔ)器，只有數(shù)據(jù)保存功能，而對(duì)CMOS中各項(xiàng)參數(shù)的設(shè)定要通過(guò)專(zhuān)門(mén)的程序。
2.RAM,ROM,內(nèi)存和硬盤(pán)有什么區(qū)別
3.什么是rom文件